oled显示模块原理(oled驱动电路的设计)

一、 OLED显示屏概念

显示屏的发光单元是有机聚合物发光二级管,即organic/polymer light emitting diode,简称 OLED。单色屏的一个像素就是一个发光二极管。OLED是“自发光”,像素本身就是光源,所以对比度极高,显示效果很犀利。缺点:当前技术所限,无法大尺寸化,价格较高。

OLED分PMOLED、AMOLED两种,PMOLED为无源驱动,AMOLED为有源驱动。

二、模块基本信息

本文使用OLED模组为:单色,IIC接口,0.96寸,4P(4个引脚,分别为:VCC,GND,SDA,SCL)

 

oled显示模块原理(oled驱动电路的设计)

模块正面及反面

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模块尺寸图

三、OLED 模块器件

OLED显示屏:128*64点阵OLED单色屏。

驱动芯片:SSD1306驱动芯片(模块上直接看不到,芯片封装在显示屏背面玻璃基板上。)

四、 模块电路图

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电路原理图

五、 显示屏与驱动的电气连接

本模块显示区域尺寸为:宽21.744毫米,高10.864毫米,因此有效显示面积为2.36平方厘米,作为对比,一元硬币的面积为4.9平方厘米,整个模块也仅一个硬币大小,不要被网上放大的图片所误导。就在这2.36平方厘米的面积里,做进了8192个发光二级管,每个发光点就是一个像素,这些点组成了一个“阵列”,因此也叫“点阵”。点阵分成128列,64行,每个像素尺寸仅0.154*0.154毫米,像素间距0.016毫米。

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显示屏像素示意图

显示屏有8192个像素,每个发光点都有正负两个电极,全部引出8192*2个驱动电极是不现实的,实际做法是把每列的正极都接在一起引出一个电极,定义为一个段(SEG),把每行的负级接在一起引出一个电极,定义为一个公共极(COM),这样128*64的点阵,只需要引出128个段引脚、64个公共极引脚、一共有192个引脚就可以了。驱动芯片SSD1306尺寸很小,只有6.76X0.86毫米,长条形,四周一圈上有281个引脚,为提高导电率,这些引脚都是镀金的,可能是纯金的,厚度也就几个微米。这些引脚很瘦弱,尺度在30-80微米间。芯片上的几个十字形或圆孔形的对标孔,是安装时与玻璃基板上电极精确定位用的。

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驱动芯片SSD1306尺寸示意图

281个引脚中,192个引脚就是专门伺候那块屏的,还有30个引脚通过 “柔性电路板”接在本模块的印制线路板上,相关外围器件均已焊接好。仅有4个脚最终通过模块的插针提供给用户:数据、时钟、片选和指令数据脚,简化了使用。其他一些引脚用于供电,还有一些未被使用。(以上摘自百度百科与芯片手册)

六、 技术要点

本模块的驱动芯片SSD1306为例,其技术要点部分罗列如下:

  1. 行列式点阵扫描驱动:矩阵显示屏动辄上万像素的分辨率,除扫描驱动,别无选择。
  2. 像素恒流驱动:OLED发光亮度与驱动电流有较好的线性关系。而电压与亮度呈幂级数关系,控制电路不易实现。
  3. 预充电技术:因寄生电容影响,OLED屏各像素点亮不同步,预充电技术解决此问题。
  4. 预放电技术:各像素寄生电容电压不一致,电压过高会造成恒流驱动时无法准确控制其亮度,造成显示屏亮度不均匀。
  5. 反向抑制技术:行列电极公用,会导致交叉效应,功能薄膜相连造成临近像素串扰,交叉和串扰效应会导致暗点发弱光,影响对比度。解决办法是加上反向电压来抑制。
  6. 电荷泵技术:OLED面板恒流驱动时需要7-15V电源,电荷泵是一个升压电路。
  7. 帧同步写入技术:该技术防止外部MCU写入数据速度滞后于帧频而造成一屏显示内容被撕裂的情形。
  8. 多种显示方式:部分显示、顺序或隔行显示、行列倒置、256级对比度控制、水平及垂直滚动显示、写入换行次序定义等,均有专门操作指令,支持丰富的显示效果需求。

七、点阵屏扫描驱动的基本原理

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显示点阵示意图

(可参考《单片机实践课程》中的点阵相关视频或OLED相关视频)

点阵屏像素按128列X64行组织,每一行128个像素单元的阴极是连接在一起,作为公共极(COM),每一列64个像素单元的阳极也连接在一起,作为一段(SEG)。行列交叉点上的LED就是一个显示单元,即一个像素。要点亮一个像素,只要在该像素所在列电极上加上正电压、行电极接地。同样,要驱动一整行图像,就需要同时把128列信号加载到列电极上,把该行行电极接地。该行显示时,其他63行均不能显示,其行电极应为高电平或悬空。

整屏的显示,只能分时扫描进行,一行一行的显示,每次显示一行。行驱依次产生低电平扫描各行,列驱动读取显示数据依次加载到列电极上。扫描一行的时间称为行周期,完成一次全屏扫描,就叫做一帧。一般帧频为大于60,因此人眼观察不到逐行显示。每行扫描显示用时叫占空比,占空比小,为达到相同的显示亮度,驱动电流就大。SSD1306段驱动最大电流为100uA,当整行128个像素全部点亮时,行电极就要流过12.8mA的电流。(摘自芯片手册和百度百科)

 

补充:OLED工艺问题及解决技术

OLED工艺上存在两个问题,一个是寄生电容,第二个是“单元串扰”。

先分析寄生电容的影响。一个像素的等效电路为一个发光二极管和一个电容并联,这个电容不是真正的器件,而是寄生电容,其容量约在22PF左右。一般要点亮一个OLED二极管,需要在阳极和阴极间加上大概4V左右的电压,这个电压叫开启电压,与制造材料有关。但寄生电容的存在,电源先要对电容充电,两端电压达到或超过二极管的开启电压后,二极管才会点亮。

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显示单元等效电路

寄生电容的存在,一是造成显示反应速度变慢;二是造成屏幕亮度不均,其原因是各寄生电容内电压不一致。AMOLED屏驱动电路解决办法是“预充电”,即对面板上所有寄生电容进行预充电,充到略低于二极管开启电压,当驱动信号到达时,无需等待即可点亮。PMOLED驱动电路的解决办法分3步走,不管电容原有电压高低,先全部放电,再统一充电到相同电压,最后加显示驱动信号。

第二个问题是“单元串扰”,即一个像素加载驱动电压或电流点亮,感应电压造成隔壁像素甚至同行同列像素微弱发光,这是OLED平面工艺的胎病,只能在驱动技术上动脑筋。解决办法是“反向抑制”,即对当前不显示的所有行加上反偏电压,即行电极(COM)加正电压Vcomh,当列电极驱动信号为0时,列电压接地,反压就是Vcomh。当列电极驱动信号为1时,列电极处于恒流驱动,列电压约在4V-Vcc间,此时反向抑制电压较小或接近于0,但不管反压大小,都能确保感应电荷及时被反压旁路掉。Vcomh可通过指令调节为Vcc 的0.65、0.77、0.83倍。

 

八、 行周期中的段驱动信号分析

驱动芯片SSD1306数据手册中的“段输出波形图”。该图描述的是扫描某一行时,加载到列电极上的“段信号”波形。

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列(段)驱动信号3阶段

信号分成3个阶段,分别是放电、充电、恒流驱动,如上图标注1、2、3所示,每个阶段驱动信号的类型是不同的,时间长短也不同。因而其电路较复杂。

阶段1:放电阶段,行列电极均接地,电容两端同电位,电容放电。放电时间可以通过指令调节,这跟电路内阻、电容大小有关,SSD1306默认为2DCLK。

阶段2:充电阶段,行电极接地,列电极接到一个略小于二极管开启电压的固定电压端进行充电,充电时间也可以通过指令调节,SSD1306默认也是2DCLK。

阶段3:充电结束后进入恒流驱动阶段,这个阶段持续50DCLK。需点亮像素被恒流源持续驱动,截止像素的列电极接地。

驱动电流从0-100uA分256极可调,调节电流就是调节亮度,不支持单个像素的灰度显示。

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驱动示意图

非扫描行的行电极接Vcomh时,各像素反偏,感应电被及时释放,就不会出现串扰现象。假设帧频为100HZ,扫描一帧的时间就是10ms,一帧包括64行,每行扫描用时即行周期就是156us,每个行周期又分成54个显示时钟(DCLK),每个显示时钟为2.9us,预放电、充电都是占2个DCLK,为5.8us。DCLK可通过调节“振荡频率”及“分频因子”来调整,从而也调整了帧频。(摘自数据手册)

 

九、 GDDRAM与OLED屏的对应关系

1. GDDRAM的作用

GDDRAM用于存储显示数据,用户通过MCU把数据写入RAM,同时向SSD1306发送相应的显示命令,驱动芯片会按用户指令要求自动进行逐帧扫描显示。与OLED屏128X64像素点阵对应,1个像素对应1个存储bit,因此 SSD1306驱动芯片内建1024字节的SRAM。

2. GDDRAM的逻辑结构

GDDRAM的逻辑存储结构是按页来组织的,相应地,OLED屏像素点阵空间也把每8行组织成1页,但128个列不作划分。整个显示区域(存储空间)被划分成8个“页”,每页8行、128列,每页对应128个字节,每个字节按竖向排列的,低位在上,高位在下,下图是第2页的存储映像示意图。

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页的存储结构示意图

“页”的划分是方便于显示字符图形,一页8个像素的高度可以显示一个ASC字符,两页合起来16个像素高度,正好可显示一个16X16像素点阵汉字。这样写数据就很方便,如要显示一个5X7尺寸的ASC字符,可连接写5个字节。要显示一个16X16的汉字,就需要在2页上分别写16个字节。如果字节的各位横向排列,每一个字节都要定位,无法连续写入。

3. 驱动电路补充

GDDRAM与屏点阵的映像关系不是固定不变的,两者之间的桥梁就是驱动电路,依赖对操作指令的硬件译码,驱动电路提供了灵活的显示方式。理解驱动细节是理解多数指令的关键。SSD1306数据手册给出的驱动逻辑图较为简单,结合逻辑图及指令可分析驱动的一些实现细节。

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驱动电路功能逻辑示意图

(摘自网络)

行(公共极)驱动:行驱动产生周期性脉冲,负责逐行扫描。扫描顺序既支持从COM0到COM63的正向扫描,也支持从COM63-COM0的反向扫描。从上图可见,行驱动是分成两部分的,可实现逐行/隔行、顺序/交叉等不同的扫描方式。

列(段)驱动:段驱动加载SRAM中当前行的128列显示数据,通过图10所示的切换开关,先后切换到放电、充电及恒流驱动的输出电路上,完成一行的扫描周期。同行驱动一样,0-127路段信号既可以顺向加载,也可以反向加载。

行、列驱动的正/反方向扫描或加载设计,可以很方便地让用户实现显示内容的变换:行列同时反向,显示内容倒置,即旋转180度;仅行或仅列反向,显示内容在行或列方向上镜像。旋转90度是做不到的,除非在软件中重组整个SRAM的映像。

驱动电路还能显示部分行,而屏蔽掉另一部分;当然也能有选择地加载SRAM中的数据。

十、 SSD1306的指令系统解析

SSD1306指令表:

指令类别 指令名称 指令代码(H) 指令作用简介

基础指令

1. 亮度控制81,A[7:0]参数A[]可设置256级亮度
2. 全显开关A4/A5A4正常显示,A5点亮全部像素
3. 反白开关A6/A7A6正常显示,A7反白显示
4. 显示开关AE/AFAE关闭显示,AF打开显示

显示滚动

5. 水平滚动26/27,00,B[],C[],D[],00,FF26水平右滚,27水平左滚
6. 双向滚动29/2A,00, B[],C[],D[],E[]垂直+水平右/左滚动
7. 关闭滚动2E
8. 启动滚动2F
9. 垂直滚动区域A3,A[],B[]A[]区域锁定不动,B[]区域滚动

地址设置

10. 起始列地址低00~0F2个4位合成一个字节作为列指针,页模式下指定显示内容的列位置
11. 起始列地址高10~1F
12. 地址模式20,A[]3种模式:页,水平,垂直
13. 列(起止)地址21,A[],B[]水平或垂直模式时,指定行列起止地址来描写一块连续写入存储区域
14. 页(起止)地址22,A[],B[]
15. 页起始地址B0~B7页模式下,指定要写入的页

硬件配置

16. 显示起始行40~7F从RAM中哪一行起读取显示内容
17. 段重映像A0/A1A1:列显示次序反向
18. 行扫多路系数A8,A[]设置只扫描哪些行(16~64)
19. 行扫方向C0/C8C8:行扫描次序反向
20. 行扫偏移D3,A[5:0]公共极(垂直)方向移动A[]行
21. 行扫配置DA,A[]4种组合,再结合行扫方向有8种
22. 升压泵开关8D,A[]打开或关闭内置升压泵

时序设置

23. 时钟分频 D5,A[] 16级振荡频率及16级分频设置
24. 充放电周期 D9,A[] 16级充电、放电周期设置
25. Vcomh反压 DB,A[] 3级反向截止电压设置
26. 空操作 E3
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